IPP069N20NM6AKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP069N20NM6AKSA1 por Infineon e IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP069N20NM6AKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,10 $1,92
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Encapsulamento PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL N/A (through-hole package) —
Tab Connection Electrically connected to Drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Fichas técnicas e recursos

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