IPP075N15N3GXKSA1 vs IPB100N12S305ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP075N15N3GXKSA1 par Infineon et IPB100N12S305ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP075N15N3GXKSA1 IPB100N12S305ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $1,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Boîtier PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) —
Type de montage Through Hole Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Series — OptiMOS 5 120V
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) — 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Avalanche Energy (EAS) — 1445 mJ
Boîtier / Format — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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