IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP200N15N3GXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP075N15N3GXKSA1 par Infineon et IPP200N15N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP075N15N3GXKSA1 IPP200N15N3GXKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $1,79
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Boîtier PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) TO-220-3 (PG-TO220-3), through-hole
Type de montage Through Hole Through Hole
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID max, Tc) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Total Power Dissipation (Ptot max, Tc=25C) — 150 W
Channel Type — N-Channel
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — Not Applicable (through-hole)

Fiches techniques et ressources

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