IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP200N15N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon e IPP200N15N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP075N15N3GXKSA1 IPP200N15N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $1,79
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Encapsulamento PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) TO-220-3 (PG-TO220-3), through-hole
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID max, Tc) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Total Power Dissipation (Ptot max, Tc=25C) — 150 W
Channel Type — N-Channel
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Nível MSL — Not Applicable (through-hole)

Fichas técnicas e recursos

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