IPP100N12S305AKSA1 vs IPB027N10N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPP100N12S305AKSA1 par Infineon et IPB027N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPP100N12S305AKSA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPP100N12S305AKSA1 | IPB027N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $1,62 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS trench | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Courant de drain pulsé | [DATA_NEEDED: pulsed ID value] | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc | 300 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | TO-220 (PG-TO220-3-1) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| MSL Moisture Sensitivity Level | 1 (260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% tested | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green product) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: exact °C/W value] |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] |