IPP100N12S305AKSA1 vs IPB027N10N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPP100N12S305AKSA1 제조: Infineon 및 IPB027N10N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPP100N12S305AKSA1 | IPB027N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.05 | $1.62 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS trench | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| 펄스 드레인 전류 | [DATA_NEEDED: pulsed ID value] | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc | 300 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | TO-220 (PG-TO220-3-1) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| 실장 유형 | Through Hole | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 | — |
| MSL Moisture Sensitivity Level | 1 (260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% tested | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green product) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: exact °C/W value] |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] |