IPP120N08S403AKSA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPP120N08S403AKSA1 par Infineon et BSC190N15NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPP120N08S403AKSA1 | BSC190N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,15 | $0,98 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (bondwire-limited) | 245 A at 25 C | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 278 W (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max | 2.5 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 167 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Input Capacitance (Ciss) | 11550 pF | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.54 K/W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1) | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (peak reflow up to 260 C) | 1 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Rating | 100% avalanche-tested | — |
| Statut RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| Technology Family | OptiMOS | — |
| Technology | — | OptiMOS 3 (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 19 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C |