IPP120N08S403AKSA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPP120N08S403AKSA1 от Infineon и BSC190N15NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 ✓ Активен
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPP120N08S403AKSA1 BSC190N15NS3GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,15 $0,98
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 120 A —
Pulsed Drain Current (bondwire-limited) 245 A at 25 C —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 278 W (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) 167 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) 11550 pF —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.54 K/W —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Корпус TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
Тип монтажа Through Hole Surface Mount
Уровень MSL MSL1 (peak reflow up to 260 C) 1
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Rating 100% avalanche-tested —
Статус RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Channel Type N-Channel enhancement mode —
Technology Family OptiMOS —
Technology — OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Диапазон рабочих температур — -55 C to +150 C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену