IPP60R190P6XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPP60R190P6XKSA1 par Infineon et IPA60R190C6XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPP60R190P6XKSA1 | IPA60R190C6XKSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,02 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P6 | CoolMOS C6 |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| Boîtier | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | Not applicable (through-hole) | — |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 20.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 34 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Tab Isolation | — | Fully isolated (4 kV) |
| Lead Free | — | Yes |