IPP60R190P6XKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPP60R190P6XKSA1 par Infineon et IPP60R180P7XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPP60R190P6XKSA1 | IPP60R180P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,02 | $1,30 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P6 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| Boîtier | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Niveau MSL | Not applicable (through-hole) | N/A (through-hole) |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 72 W |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |