IPP60R190P6XKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPP60R190P6XKSA1 por Infineon e IPP60R180P7XKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPP60R190P6XKSA1 | IPP60R180P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,02 | $1,30 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P6 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| Encapsulamento | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Through Hole |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Nível MSL | Not applicable (through-hole) | N/A (through-hole) |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 72 W |
| Número de pinos | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |