IPP60R190P6XKSA1 vs STP20N60M2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPP60R190P6XKSA1 par Infineon et STP20N60M2 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
STMicroelectronics
STP20N60M2 - 600V 20A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STP20N60M2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPP60R190P6XKSA1 | STP20N60M2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | STMicroelectronics |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,02 | $1,50 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P6 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| Boîtier | PG-TO220-3 (through-hole) | TO-220 |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55°C to +150°C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | Not applicable (through-hole) | — |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 20 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 80 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.19 ohm typical, 0.23 ohm max |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±25 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V to 4 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 45 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1900 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 120 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 5 pF |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 400 mJ |
| Thermal Resistance (Junction-to-Case) | — | 1.67 °C/W |
| Résistance thermique, jonction-ambiance | — | 62.5 °C/W |