IPT004N03LATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPT004N03LATMA1 par Infineon et BSC050N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPT004N03LATMA1 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,89 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| On-Resistance RDS(on), max | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mΩ] | — |
| On-Resistance RDS(on), typical | 0.4 mΩ (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total nC] | — |
| Power Dissipation (Ta, 1in² PCB) | 3.8 W | — |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | 300 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C (Tj) | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (TO-Leadless, source-down) | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Technology | — | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |