IPT015N10N5ATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPT015N10N5ATMA1 par Infineon et BSC021N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPT015N10N5ATMA1 - 100V 300A 1.5mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
IPT015N10N5ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPT015N10N5ATMA1 | BSC021N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,78 | $0,81 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPT015N10N5ATMA1 | BSC021N08NS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS™ 5 | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 300 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 1.5 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Température de fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Gate Threshold VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| Output Capacitance (Coss) | Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) | — |
| RDS(on) Improvement vs Prior Generation | Up to 43% reduction | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | — | 226 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| Power Dissipation P_D (Tc=25°C) | — | 214 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Total Gate Charge Q_G typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| R_thJC thermal resistance max | — | [DATA_NEEDED: R_thJC] |
| Niveau MSL | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Delivery Form | — | Tape & Reel (T&R) |