IPT015N10N5ATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT015N10N5ATMA1 par Infineon et BSC072N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT015N10N5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,78 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Boîtier PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
Température de fonctionnement -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 74 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

Fiches techniques et ressources

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