IPT015N10N5ATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPT015N10N5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC072N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IPT015N10N5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.78 $0.46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
パッケージ PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
動作温度 -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 74 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

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