IPT015N10N5ATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT015N10N5ATMA1 por Infineon y BSC072N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT015N10N5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,78 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Encapsulado PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
Temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
Estado RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 74 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

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