IPT017N12NM6ATMA1 vs ISK057N04LM6ATSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon et ISK057N04LM6ATSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT017N12NM6ATMA1 ISK057N04LM6ATSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,85 $0,30
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 6 Trench
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Boîtier PG-HSOF-8 (TOLL) PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +175C —
Nombre de broches 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 15 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 64 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 39.1 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 8.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.3 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 12 nC
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF
Output Capacitance (Coss) — 290 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C

Fiches techniques et ressources

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