IPT017N12NM6ATMA1 vs ISK057N04LM6ATSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT017N12NM6ATMA1 por Infineon e ISK057N04LM6ATSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPT017N12NM6ATMA1 ISK057N04LM6ATSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $0,30
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 6 Trench
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Encapsulamento PG-HSOF-8 (TOLL) PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +175C —
Contagem de pinos 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
Status RoHS Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 15 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 64 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 39.1 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 8.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.3 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 12 nC
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF
Output Capacitance (Coss) — 290 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C

Fichas técnicas e recursos

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