IPT022N10NF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT022N10NF2SATMA1 par Infineon et BSC076N04NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT022N10NF2SATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,99 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family StrongIRFET 2 —
FET Type N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 236 A —
Typical RDS(on) at VGS=10V 2.2 mΩ —
Power Dissipation at Ta 3.8 W —
Power Dissipation at Tc 250 W —
Boîtier PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 4 V (max, typical)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Statut RoHS Compliant —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Boîtier / Format — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

Fiches techniques et ressources

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