IPT022N10NF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT022N10NF2SATMA1 por Infineon e BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT022N10NF2SATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,99 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family StrongIRFET 2 —
FET Type N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 236 A —
Typical RDS(on) at VGS=10V 2.2 mΩ —
Power Dissipation at Ta 3.8 W —
Power Dissipation at Tc 250 W —
Encapsulamento PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 4 V (max, typical)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Status RoHS Compliant —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

Fichas técnicas e recursos

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