IPT022N10NF2SATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT022N10NF2SATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT022N10NF2SATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,99 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family StrongIRFET 2 OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 236 A —
Typical RDS(on) at VGS=10V 2.2 mΩ —
Power Dissipation at Ta 3.8 W —
Power Dissipation at Tc 250 W —
Boîtier PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) PG-TDSON-8 (source-down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET Trench MOSFET, silicon
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Statut RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)
Niveau MSL — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis