IPT022N10NF2SATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT022N10NF2SATMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT022N10NF2SATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,99 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family StrongIRFET 2 OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 236 A —
Typical RDS(on) at VGS=10V 2.2 mΩ —
Power Dissipation at Ta 3.8 W —
Power Dissipation at Tc 250 W —
Encapsulamento PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET Trench MOSFET, silicon
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Status RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)
Nível MSL — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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