IPT026N10N5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT026N10N5ATMA1 par Infineon et BSC076N04NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT026N10N5ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,87 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 27 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.6 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) 214 W —
Boîtier PG-HSOF-8-1 (TOLL) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) —
Configuration Single with built-in diode Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Number of Terminals 8 —
Technology Trench (OptiMOS 5) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Boîtier / Format — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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