IPT026N10N5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT026N10N5ATMA1 por Infineon y BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT026N10N5ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,87 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 27 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.6 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) 214 W —
Encapsulado PG-HSOF-8-1 (TOLL) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (TJ) —
Configuration Single with built-in diode Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Number of Terminals 8 —
Technology Trench (OptiMOS 5) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Encapsulado / Carcasa — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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