IPT030N12N3GATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPT030N12N3GATMA1 par Infineon et IPB60R040CFD7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPT030N12N3GATMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,78 | $5,19 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 24 A (Ta) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 237 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 375 W (Tc) | — |
| Technology | OptiMOS 3 | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (per manufacturer datasheet) | — |
| Statut RoHS | Compliant with Exemption | Compliant |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 227 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |