IPT030N12N3GATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPT030N12N3GATMA1 от Infineon и IPB60R040CFD7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPT030N12N3GATMA1 - 120V 237A 3mΩ N-Channel OptiMOS 3 | Infineon
IPT030N12N3GATMA1 ✓ АктивенInfineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPT030N12N3GATMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,78 | $5,19 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 24 A (Ta) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 237 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 375 W (Tc) | — |
| Technology | OptiMOS 3 | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (per manufacturer datasheet) | — |
| Статус RoHS | Compliant with Exemption | Compliant |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | — | 227 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |