IPT059N15N3ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT059N15N3ATMA1 par Infineon et IAUC120N06S5L015ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT059N15N3ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,05 $0,92
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 3 (trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 155 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Boîtier PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) -55C to +175C (Tj)
Nombre de broches 8 + exposed source tab —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualified No (industrial grade; non-AEC-Q) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

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