IQD009N06NM5SCATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQD009N06NM5SCATMA1 par Infineon et IAUC60N04S6L030HATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQD009N06NM5SCATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,42 $0,94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 445 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] 2 V
Boîtier PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL classification] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Tape and Reel Packaging Yes (suffix SCATMA1) —
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

Fiches techniques et ressources

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