IQD009N06NM5SCATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQD009N06NM5SCATMA1 por Infineon e IAUC60N04S6L030HATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQD009N06NM5SCATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,42 $0,94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 445 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] 2 V
Encapsulamento PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL classification] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Tape and Reel Packaging Yes (suffix SCATMA1) —
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

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