IQD020N10NM5CGATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQD020N10NM5CGATMA1 par Infineon et BSC019N04LSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQD020N10NM5CGATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,28 $1,21
Technology OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C 273 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ (at VGS=10V) —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 333 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C -55 C to +150 C
Boîtier PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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