IQD020N10NM5CGATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQD020N10NM5CGATMA1 von Infineon und BSC019N04LSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQD020N10NM5CGATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,28 $1,21
Technology OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C 273 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ (at VGS=10V) —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 333 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C -55 C to +150 C
Gehäuse PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] 1 (unlimited)
RoHS-Status Compliant Compliant
Qualification Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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