IQD020N10NM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQD020N10NM5CGSCATMA1 par Infineon et IQDH88N06LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQD020N10NM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,20 | $2,31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 100V (IQD series) | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 276 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 26 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 2.0 mOhm at VGS = 10 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) - JLCPCB listing | 1.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.8 V | — |
| Gate Charge (Qg, total) | 107 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7.3 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 42 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm) with exposed thermal pad | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Level | Logic-level (10 V VGS rated) | — |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Nombre de broches | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |