IQD020N10NM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQD020N10NM5CGSCATMA1 por Infineon e IQDH88N06LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IQD020N10NM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,20 | $2,31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 100V (IQD series) | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 276 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 26 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 2.0 mOhm at VGS = 10 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) - JLCPCB listing | 1.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.8 V | — |
| Gate Charge (Qg, total) | 107 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7.3 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 42 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +175C | — |
| Encapsulamento | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm) with exposed thermal pad | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Level | Logic-level (10 V VGS rated) | — |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| Corrente de dreno contínua (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Contagem de pinos | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| Nível MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |