IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5SCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 par Infineon et IQDH88N06LM5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5SCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,84 $2,55
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Power-Transistor N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (Ta) 75 A —
Continuous Drain Current (Tc) 789 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 278 W 333 W
Maximum On-Resistance RDS(on) 0.29 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) —
Boîtier PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling)
Nombre de broches 9 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Cooling Dual-side exposed pad (top + bottom) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IQDH88N06LM5SCATMA1
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 447 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.7 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 76 nC
Input Capacitance (Ciss) — 11 nF
Output Capacitance (Coss) — 2 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 95 pF
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C

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