IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5SCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon y IQDH88N06LM5SCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5SCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,84 $2,55
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Power-Transistor N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (Ta) 75 A —
Continuous Drain Current (Tc) 789 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 278 W 333 W
Maximum On-Resistance RDS(on) 0.29 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) —
Encapsulado PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling)
Recuento de pines 9 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Cooling Dual-side exposed pad (top + bottom) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IQDH88N06LM5SCATMA1
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 447 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.7 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 76 nC
Input Capacitance (Ciss) — 11 nF
Output Capacitance (Coss) — 2 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 95 pF
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C

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