IQDH35N03LM5CGATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQDH35N03LM5CGATMA1 par Infineon et BSZ065N03LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQDH35N03LM5CGATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,45 | $0,38 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C (junction) |
| Boîtier | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| Boîtier / Format | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |