IQDH35N03LM5CGATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQDH35N03LM5CGATMA1 por Infineon e BSZ065N03LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IQDH35N03LM5CGATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,45 | $0,38 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C (junction) |
| Encapsulamento | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 | 1 |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |