IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQDH35N03LM5SCATMA1 par Infineon et IQD016N08NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQDH35N03LM5SCATMA1 IQD016N08NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,05 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 Power-MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Boîtier PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating)
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 323 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.6 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typical]

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