IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQDH35N03LM5SCATMA1 por Infineon e IQD016N08NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQDH35N03LM5SCATMA1 IQD016N08NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,05 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 Power-MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Encapsulamento PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating)
Nível MSL 1 (unlimited) —
Status RoHS Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 323 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.6 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typical]

Fichas técnicas e recursos

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