IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQDH35N03LM5SCATMA1 от Infineon и IQD016N08NM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQDH35N03LM5SCATMA1 | IQD016N08NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,05 | $1,68 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) | OptiMOS 5 Power-MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 0.35 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| Корпус | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +175 C | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) |
| Уровень MSL | 1 (unlimited) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Marking | IQDH35N03LM5S | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 323 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.6 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |