IQE004NE1LM7CGATMA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE004NE1LM7CGATMA1 par Infineon et IQE020N04LM6CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ Actif
Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,06 $1,75
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 6
Technology N-Channel Trench Power MOSFET OptiMOS 6, TrenchFET-class
Drain-Source Voltage (VDS) 15 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) 58 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 379 A —
Power Dissipation (TA=25C) 2.1 W —
Power Dissipation (TC=25C) 89 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.45 mOhm at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Boîtier PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (CGATMA1 suffix) —
Polarization N-Channel —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 166 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 107 W
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +150°C
Configuration — Single N-Channel, source-down

Fiches techniques et ressources

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