IQE004NE1LM7CGATMA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE004NE1LM7CGATMA1 por Infineon e IQE020N04LM6CGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,06 $1,75
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 6
Technology N-Channel Trench Power MOSFET OptiMOS 6, TrenchFET-class
Drain-Source Voltage (VDS) 15 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) 58 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 379 A —
Power Dissipation (TA=25C) 2.1 W —
Power Dissipation (TC=25C) 89 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.45 mOhm at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (CGATMA1 suffix) —
Polarization N-Channel —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 166 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 107 W
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C
Configuration — Single N-Channel, source-down

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