IQE036N08NM6CGATMA1 vs IAUCN08S7N036TATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE036N08NM6CGATMA1 par Infineon et IAUCN08S7N036TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN08S7N036TATMA1 - 80V, 3.6mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN08S7N036TATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE036N08NM6CGATMA1 | IAUCN08S7N036TATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $2,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 7 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 118 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 16.7 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V (max) | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction, Tj) | — |
| Boîtier | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | — |
| Configuration | Single N-channel, Source-Down | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 129 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.60 mΩ |
| Power Dissipation (P_D) | — | 118 W (T_C = 25 °C) |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 3120 pF (typ) |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 1280 pF (typ) |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | — | 23 pF (max) |
| Turn-on Delay Time (t_d(on)) | — | 14 ns (typ) |
| Rise Time (t_r) | — | 8 ns (typ) |
| Turn-off Delay Time (t_d(off)) | — | 17 ns (typ) |
| Fall Time (t_f) | — | 8 ns (typ) |
| Cooling | — | Top-side cooled |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |