IQE036N08NM6CGATMA1 vs IAUCN08S7N036TATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQE036N08NM6CGATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN08S7N036TATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQE036N08NM6CGATMA1 | IAUCN08S7N036TATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.82 | $2.05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 7 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 118 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 16.7 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V (max) | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C (junction, Tj) | — |
| 패키지 | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | — |
| Configuration | Single N-channel, Source-Down | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 129 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.60 mΩ |
| Power Dissipation (P_D) | — | 118 W (T_C = 25 °C) |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 3120 pF (typ) |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 1280 pF (typ) |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | — | 23 pF (max) |
| Turn-on Delay Time (t_d(on)) | — | 14 ns (typ) |
| Rise Time (t_r) | — | 8 ns (typ) |
| Turn-off Delay Time (t_d(off)) | — | 17 ns (typ) |
| Fall Time (t_f) | — | 8 ns (typ) |
| Cooling | — | Top-side cooled |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |