IQE036N08NM6CGATMA1 vs IAUCN08S7N036TATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IQE036N08NM6CGATMA1 от Infineon и IAUCN08S7N036TATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN08S7N036TATMA1 IAUCN08S7N036TATMA1 - 80V, 3.6mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N036TATMA1 - 80V, 3.6mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N036TATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IQE036N08NM6CGATMA1 IAUCN08S7N036TATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,82 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 7
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 118 A —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 16.7 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V (max) —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C (junction, Tj) —
Корпус PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 —
Configuration Single N-channel, Source-Down —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V
Continuous Drain Current (I_D) — 129 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.60 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 118 W (T_C = 25 °C)
Input Capacitance (C_iss) — 3120 pF (typ)
Output Capacitance (C_oss) — 1280 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 23 pF (max)
Turn-on Delay Time (t_d(on)) — 14 ns (typ)
Rise Time (t_r) — 8 ns (typ)
Turn-off Delay Time (t_d(off)) — 17 ns (typ)
Fall Time (t_f) — 8 ns (typ)
Cooling — Top-side cooled
Automotive Qualification — AEC-Q101

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену