IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE050N08NM5CGATMA1 par Infineon et IQD020N10NM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE050N08NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,75 $1,28
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (Ta) 16 A —
Continuous Drain Current (Tc) 101 A —
On-Resistance RDS(on) Max 5.0 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Boîtier PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Source-Down) OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET
Gate Threshold Vgs(th) Typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ max) —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve]
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C — 273 A
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ (at VGS=10V)
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 333 W
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C
Qualification — Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family)

Fiches techniques et ressources

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