IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE050N08NM5CGATMA1 von Infineon und IQD020N10NM5CGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE050N08NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,75 $1,28
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (Ta) 16 A —
Continuous Drain Current (Tc) 101 A —
On-Resistance RDS(on) Max 5.0 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Gehäuse PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Source-Down) OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET
Gate Threshold Vgs(th) Typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Betriebstemperatur -55°C to +175°C (TJ max) —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve]
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C — 273 A
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ (at VGS=10V)
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 333 W
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +175°C
Qualification — Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family)

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