IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE050N08NM5CGATMA1 par Infineon et IQE036N08NM6CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE050N08NM5CGATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,75 $0,88
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (Ta) 16 A —
Continuous Drain Current (Tc) 101 A —
On-Resistance RDS(on) Max 5.0 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Boîtier PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Source-Down) Trench MOSFET (OptiMOS 6)
Gate Threshold Vgs(th) Typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ max) —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
Part Status — Active
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16.7 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 118 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 125 W
Boîtier / Format — PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Configuration — Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves)
Packing — Tape and Reel (suffix ATMA1)
Voltage Rating — 60 V to 100 V category (80 V nominal)

Fiches techniques et ressources

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