IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE050N08NM5CGATMA1 por Infineon e IQE036N08NM6CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE050N08NM5CGATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,75 $0,88
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (Ta) 16 A —
Continuous Drain Current (Tc) 101 A —
On-Resistance RDS(on) Max 5.0 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Encapsulamento PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Source-Down) Trench MOSFET (OptiMOS 6)
Gate Threshold Vgs(th) Typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ max) —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
Part Status — Active
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16.7 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 118 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 125 W
Encapsulamento / Caixa — PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Configuration — Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves)
Packing — Tape and Reel (suffix ATMA1)
Voltage Rating — 60 V to 100 V category (80 V nominal)

Fichas técnicas e recursos

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